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参数目录41960
> PSMN2R9-30MLC,115 MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
型号:
PSMN2R9-30MLC,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN2R9-30MLC,115 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
70A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.9 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
36.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2419pF @ 15V
功率 - 最大
91W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT1210,8-LFPAK33(5 引线)
供应商设备封装
LFPAK33
包装
标准包装
其它名称
568-9573-6
查看PSMN2R9-30MLC,115代理商
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